Samsung Electronics сообщила о создании микросхемы флэш-памяти увеличенной емкости, открывающей дальнейшие перспективы совершенствования возможностей портативных устройств, таких как музыкальные плееры.
Новый чип вмещает 64 Гб данных и изготовлен по технологии нового поколения SaDPT (self-aligned double patterning technology) с уровнем детализации 30 нм. По информации корейского производителя, этот прототип является первым в мире устройством такой емкости на базе многоуровневых ячеек (MLC) и продолжает на восьмой год тенденцию ежегодного удвоения плотности памяти.
Компания рассчитывает начать коммерческие поставки анонсированного продукта в 2009 г., а в 2008 г. развернет массовое производство 40-нанометрового чипа флэш-памяти NAND емкостью 32 Гб, который она представила в прошлом году.
В настоящее время, основная часть памяти, выпускаемой Samsung, изготовляется с помощью 50-нанометрового процесса.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +33 голоса |
|
