`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Samsung представляет достижения в области полупроводниковых технологий

0 
 

В начале минувшей недели на пресс-конференции в гостинице Shilla в Сеуле компания Samsung Electronics представила несколько новинок в области полупроводниковых технологий, которые весьма наглядно демонстрируют ее текущие приоритеты в этой сфере.

"Мобильные и цифровые бытовые устройства являются новой движущей силой эпохи IT. За счет тесного взаимодействия групп, занимающихся памятью и высокоинтегрированными системными компонентами, Samsung собирается поддерживать данную тенденцию, предлагая производителям законченные решения", -- подчеркнул глава полупроводникового подразделения компании д-р Чанг Гу Хванг (Chang Gyu Hwang).

Пожалуй, центральной из представленных Samsung разработок стала первая в индустрии 8-гигабитная микросхема флэш-памяти NAND, изготовленная с использованием 60-нанометрового технологического процесса. Как отмечает компания, переход на него позволил добиться почти 30%-ного уменьшения размера ячейки в сравнении с 4-гигабитным чипом, обладающим уровнем детализации 70 нм, который был продемонстрирован в прошлом году -- сейчас этот размер оценивается в 0,0082 мкм2 (наименьший в мире показатель).

Samsung представляет достижения в области полупроводниковых технологий

По словам инженеров Samsung, ключевыми элементами при создании этих микросхем стали трехмерная структура транзисторов и применяемый в затворе изолятор с высокой диэлектрической проницаемостью, благодаря которому взаимодействие между ячейками сводится к минимуму. Кроме того, за счет использования обычный KrF-литографии (предусматривающей применение эксимерных лазеров на основе фторида криптона с длиной волны 248 нм) удалось снизить стоимость чипов в расчете на одну ячейку приблизительно на 50%. Еще одним усовершенствованием стало внедрение новой технологии многоуровневых ячеек (MLC -- Multi Level Cell).

На основе чипов NAND емкостью 8 Gb можно будет изготовлять карты памяти размером до 16 GB (способные хранить 16 ч видео DVD-качества либо 4 тыс. MP3-файлов продолжительностью по 5 мин каждый). Единственное -- пока компания не уточняет сроков начала массового выпуска таких чипов (говорится лишь о том, что в первом квартале следующего года она планирует приступить к производству 4-гигабитных микросхем).

Презентация нового чипа стала подтверждением правила, получившего в индустрии название "закон Хванга" (оно было сформулировано руководителем полупроводникового подразделения Samsung на конференции ISSCC 2001): емкость флэш-чипов увеличивается вдвое каждый год.

Следующий анонс от Samsung -- это первая на рынке микросхема DDR2 SDRAM емкостью 2 Gb, которая обладает уровнем детализации 80 нм. Как подчеркивается в заявлении южнокорейской фирмы, ранее предполагалось, что для достижения упомянутой емкости для DRAM потребуется как минимум переход на 65-нанометровый процесс.

Среди передовых технологических решений, реализованных в данном чипе, -- опять же трехмерные транзисторы, сверхтонкие (толщиной 20 ангстрем) оксидные пленки и трехслойные металлические соединения.

К массовому производству 2-гигабитных чипов DDR2 SDRAM Sam-sung рассчитывает приступить во второй половине 2005 г. Их планируется выпускать в исполнении FBGA -- ожидается, что на базе таких чипов будут изготовляться модули памяти размером 2, 4 и 8 GB, предназначенные для использования в серверах и рабочих станциях.

Ну и еще одной новинкой Samsung стал процессор с тактовой частотой 667 MHz и 64 KB интегрированного кэша для мобильных 3G-устройств (смартфонов и персональных электронных секретарей) -- разработчики считают, что он позволит реализовать в таких устройствах обширный набор мультимедийных функций.

Представленный чип основан на ядре ARM1020E и имеет шесть конвейеров; напряжение его питания оценивается в 1,25 В, а энергопотребление -- в 0,8 мВт на 1 MHz тактовой частоты. В числе других особенностей процессора разработчики обращают внимание на встроенный модуль для выполнения операций с плавающей точкой, что позволяет повысить качество обработки трехмерной графики и звука.
0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT