| 0 |
|
Компанія Samsung Electronics оголосила про початок масового виробництва енергонезалежної пам'яті Vertical NAND (V-NAND) восьмого покоління на базі 1-терабітних (Тб) трирівневих комірок (TLC) з найвищою в галузі бітовою щільністю.
"Оскільки ринковий попит на щільніші та місткіші пристрої зберігання даних підштовхує до збільшення кількості шарів V-NAND, компанія Samsung застосувала свою передову технологію 3D масштабування для зменшення площі поверхні та висоти, уникаючи при цьому інтерференції між комірками, що зазвичай виникає під час зменшення масштабу", - говорить Сунг-Хой Хур, виконавчий віцепрезидент підрозділу Flash Product & Technology компанії Samsung Electronics. "Наше восьме покоління V-NAND допоможе задовольнити ринковий попит, який швидко зростає, і дасть нам змогу випускати більш диференційовані продукти та рішення, що стануть основою майбутніх інновацій у сфері зберігання даних".
Зазначено, Samsung вдалося досягти найвищої в галузі щільності бітів завдяки значному збільшенню продуктивності бітів на пластину. Заснована на інтерфейсі Toggle DDR 5.0 - новітньому стандарті флешпам'яті NAND - V-NAND восьмого покоління від Samsung має швидкість вводу-виводу (I/O) до 2,4 гігабіта за секунду (Гбіт/с), що в 1,2 раза вище, ніж у попереднього покоління. Це дасть змогу новій V-NAND відповідати вимогам до продуктивності PCIe 4.0, а потім і PCIe 5.0.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
