`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Samsung начала массовое производство 64-слойной памяти V-NAND

+11
голос
Samsung начала массовое производство 64-слойной памяти V-NAND

Samsung Electronics объявила о начале широкомасштабного производства чипов 64-слойной флэш-памяти V-NAND объемом 256 Гб. Она предназначена для использования в устройствах хранения данных для серверов, ПК и мобильных девайсов.

Новая память обеспечивает скорость передачи данных до 1 Гб/с, что, как отмечают в компании, делает ее самой быстрой среди доступных модулей флэш-памяти NAND. 64-слойная V-NAND обеспечивает прирост производительности более чем на 30% по сравнению с 48-слойной памятью Samsung. Кроме того, новинка работает с напряжением 2,5 В, что обеспечивает примерно 30% преимущество в энергоэффективности, а надежность работы новых ячеек V-NAND увеличилась на 20%.

Samsung начала пробные выпуски SSD на базе 64-слойных чипов V-NAND 256 Гб в январе для ключевых партнеров и сейчас готова представить широкий спектр решений для мобильных и потребительских устройств. К ним относятся модули встроенной памяти UFS, десктопные SSD и внешние карты памяти, которые компания планирует представить в конце этого года.

Samsung намерена в этом году перевести на выпуск новых 64-слойных чипов V-NAND более 50% своего производства флэш-памяти NAND.

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT