Samsung Electronics и корпорация Toshiba будут совместно разрабатывать наиболее быстродействующую технологию флэш-памяти NAND – DDR NAND. Подобные устройства, удовлетворяющие стандартной промышленной спецификации DDR 2.0 обеспечат преимущества высокой пропускной способности – 400 Мб/с широкому кругу мобильных и потребительских гаджетов.
По быстродействию такая память втрое превосходит выпускаемую сейчас toggle DDR 1.0 применяющую интерфейс DDR к обычной архитектуре SDR NAND (133 Мб/с), и в 10 раз – стандартную SDR NAND (40 Мб/с).
В прошлом месяце обе компании приступили к участию в работе над стандартизацией указанной технологии в рамках JEDEC Solid State Technology Association.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +11 голос |
|
