| 0 |
|
Флэш-память является доминирующей технологией для энергонезависимых ЗУ, но ее недостаточно высокое быстродействие заставляет инженеров вести интенсивный поиск альтернативных решений. Одним из них считается память с изменением фазы Phase-Change Random Access Memory (PRAM), которая работает в 1000 раз быстрее, чем флэш.
Работа PRAM основана на обратимых фазовых переходах между кристаллическим и аморфным состояниями, имеющими, соответственно, низкое и высокое электрическое сопротивление, отвечающее значениям «0» и «1» бита данных.
Компания Samsung Electronics уже выпускает модули PRAM емкостью до 512 Мб, но ток записи в них еще слишком большой. Для широкого применения PRAM в мобильной технике этот параметр необходимо снизить как минимум на треть.
Коллектив из корейского института KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology) разработал фазовую память на базе наноструктур самоорганизующихся блочных сополимеров (BCP). BCP представляет собой смесь двух различных полимеров, самостоятельно образующую упорядоченные структуры с характерным размером деталей менее 20 нм.
Как сообщается в статье, вышедшей в мартовском номере ACS Nano, такая конструкция позволила снизить потребление энергии PRAM более, чем в 20 раз по сравнению с сегодняшним уровнем.
Для снижения расхода энергии на переключение фаз PRAM требуется уменьшить площадь области контакта между нагревающим слоем и материалом, изменяющим фазу. Корейским ученым удалось добиться этого, нанеся самоорганизующиеся силикатные наноструктуры на поверхность фазового вещества. Предложенная технология не только обеспечивает значительную экономию энергии, но также совместима со структурой устройства и имеющимся литографическим производственным оборудованием.
В настоящее время ученые KAIST изучают перспективы применения самоорганизующихся BCP для совершенствования резистивной памяти и гибких электронных устройств.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
