Рождение топологической спинтроники

Об открытии перспективной комбинации материалов для новых поколений компьютерной памяти и логики рассказывается в выпуске Nature за 24 июля.

Результаты исследований физиков Корнельского и Пенсильванского (Penn State) университетов свидетельствуют, что сочетание стандартного магнитного материала с так называемым топологическим изолятором может оказаться в 10 раз эффективнее для управления магнитной памятью или логикой, чем любые материалы, изученные до сих пор.

В экспериментах использовалась тонкая пленка из ферромагнетика на 8-нанометровом слое топологического изолятора селенида висмута (Bi₂Se₃), синтезированная методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

По заявлению Нитина Самарза (Nitin Samarth), профессора физики из Penn State, это достижение особенно важно, так как является первым реальным указанием на возможность практического применения топологических изоляторов, изучаемых многими материаловедами с прицелом на спинтронные приложения.

«В сотрудничестве с Корнеллем мы выяснили, что при нормальных комнатных температурах спин-ориентированные электроны можно использовать, чтобы очень эффективно контролировать направление магнитной полярности примыкающего материала», — подчеркнул он.

Решение одной из ключевых проблем в развитии спинтроники — эффективного преобразования обычного зарядового тока в спиновый ток, по словам Самарза показывает, что «топологическая спинтроника» является весьма многообещающим вариантом более традиционных подходов к спинтронным технологиям.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI