`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Разработана магнитная память с новой структурой

+22
голоса

Исследовательская группа профессора Хидео Оно (Hideo Ohno) из Университета Тохоку разработала новую структуру магнитного запоминающего устройства с использованием индуцированной спин-орбитальным вращающим моментом переключением намагниченности.

За эти два десятилетия, много усилий было потрачено на разработку памяти MRAM, которая хранит информацию в виде направления намагниченности. Так как направление намагниченности можно, в общем, изменять на высокой скорости неограниченное число раз, то MRAM рассматривается в качестве перспективной замены используемой в настоящее время памяти на основе полупроводников, такой как статическая RAM (SRAM) и динамическая RAM (DRAM), которые сегодня сталкиваются с целым рядом серьезных проблем.

Основная трудность развития MRAM заключается в том, как эффективно достичь перемагничивания.

В последнее время было продемонстрировано и интенсивно изучается индуцированное спин-орбитальным моментом (SOT) переключение намагниченности, где используются крутящие моменты, вызванные взаимодействием тока в плоскости и спин-орбитального момента. В принципе, SOT-индуцированное переключение позволяет выполнять сверхбыстрое перемагничивание на наносекундном масштабе времени.

Исследовательская группа из Университета Тохоку показала новую схему SOT-индуцированного переключения намагниченности. Хотя уже существовали два вида схем переключения, в которых намагниченность направлена ортогонально к приложенному току записи, нынешняя структура имеет намагниченность, направленную коллинеарно с током. Группа изготовила трехконтактное устройство с новой структурой Та/CoFeB/MgO, в котором используется магнитный туннельный переход, и успешно продемонстрировала операцию переключения.

Требуемая плотность тока, чтобы вызвать переключение намагниченности, была относительно небольшой, и разница сопротивлений между состояниями "0" и "1" была достаточно велика, что свидетельствует о том, что новая структура является перспективным кандидатом для приложений MRAM.

Кроме того, группа показала, что новая структура имеет потенциал, чтобы служить в качестве полезного инструмента для углубления в физику SOT-индуцированного переключения, в которой остается ряд нераскрытых вопросов.

Устройство магнитной памяти может хранить данные без электропитания, что позволяет резко сократить энергопотребление интегральных схем. В частности, это преимущество становится существенным для приложений, имеющих относительно длительное время ожидания, такие как сенсорные узлы, которые, вероятно, будут выполнять важную роль в будущем IoT.

В связи с этим, настоящая работа, как ожидается, проложит путь к реализации высокопроизводительных интегральных схем сверхнизкой мощности для будущего IoT.

Разработана магнитная память с новой структурой

Схематическое изображение структур трех видов SOT-индуцированной схемы переключения намагничивания. (а) Первая предыдущая структура, в которой намагниченность перпендикулярна плоскости пленки. (b) Вторая предыдущая структура, когда вектор намагниченности лежит в плоскости и ортогонален к канальному току. (с) Новая структура, когда намагниченность в плоскости и коллинеарна току

+22
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT