Разработан процесс низкотемпературного выращивания тонкопленочного германия

Ключевым компонентом гибких электронных устройств нового поколения и электронных схем с высокой степенью интеграции могут стать тонкие пленки германия, полупроводника с более высокой подвижностью носителей зарядов, чем кремний.

Новый подход, описанный в статье для журнала Applied Physics Letters, позволяет выращивать пленки германия непосредственно на подложках из эластичных материалов. Методы, применяющиеся сегодня, требуют нагрева выше 300 °C, что приводило бы к размягчению эластичной основы. Поэтому, основной проблемой исследователей из Университета Кюсю (Япония) было научиться выращивать германиевые пленки при более низких температурах.

Предложенная ими методика, в отличие от прежних, не требует присутствия других кристаллов, действующих как центры роста для кристалла германия. Используя в качестве катализатора золото, ученые смогли продемонстрировать рост крупнозернистой (20 мкм и более) германиевой пленки при температуре около 250 °C.

По заявлению исследователей, их метод может быть применен для получения германиевых пленок с очень большой площадью, что значительно расширяет диапазон потенциальных приложений.