| 0 |
|
Несмотря на существенный прогресс в совершенствовании быстродействующей энергонезависимой резистивной памяти ReRAM, рыночные позиции запоминающих устройств на базе флэш-памяти остаются незыблемы. Причина заключается в том, что флэш-технология поддерживает многослойную 3D-упаковку, повышающую плотность памяти, тогда как методы нанесения обеднённой кислородом пленки, практикуемые в производстве ReRAM, несовместимы с функциональными 3D-архитектурами.
В поисках альтернативного решения сотрудники МФТИ обратились к технике осаждения атомарных слоёв (ALD), которая за прошедшее десятилетние нашла множество приложений в наноэлектронике, оптике и биомедицине. У ALD имеются два главных преимущества: во-первых, метод обеспечивает беспрецедентный контроль толщины плёнки, во-вторых, он подходит для нанесения слоев на объемные структуры.
Самой трудной задачей для исследователей было найти оптимальные реагенты, которые бы позволяли контролировать концентрацию кислорода в получающемся покрытии и одновременно полностью удаляли бы лиганды (углерод, хлор и по.) из металического исходного материала. В конечном итоге её удалось решить: в качестве металлического прекурсора был избран тантал, а реагентом стал активированный плазмой водород.
Кроме того авторами была разработана уникальная методика измерения содержания кислорода в плёнке прямо в вакуумной камере, где производилось осаждение атомарных слоёв. В противном случае, воздействие атмосферы на верхний слой диэлектрика делало невозможным точное измерение аналитическими методами, такими как электронная спектроскопия, кислородного дефицита, и подтверждение результатов экспериментов.
Итоги исследования представлены в статье, опубликованной в журнале ACS Applied Materials & Interfaces.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
