`

СПЕЦІАЛЬНІ
ПАРТНЕРИ
ПРОЕКТУ

Чи використовує ваша компанія ChatGPT в роботі?

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Новые методики исследований позволят улучшить разработку солнечных батарей и HDD

0 
 
Работа сингапурских физиков углубляет понимание природы интерфейсных процессов

Коллектив ученых физического факультета Национального Университета Сингапура (NUS) успешно разработал метод изучения интерфейса, позволяющий пролить свет на явления, происходящие при контакте двух различных материалов. Об этом рассказывает публикация в Nature Communication от 14 апреля.

Лучшее понимание протекающих при этом процессов открывает перспективы создания более совершенных солнечных элементов, полупроводников и компактных жестких дисков.

«Если соединить два материала, можно получить совершенно новые свойства. Например, два немагнитных изолятора могут стать проводящими и, в ряде случаев, ферромагнитными и сверхпроводящими на поверхности раздела между ними, — объясняет адъюнкт-профессор NUS Андриво Рашиди (Andrivo Rusydi). — Проблема в том, что мы пока не совсем понимаем, что происходит на интерфейсе».

Для того чтобы получить ответ на этот вопрос, сотрудники NUS исследовали интерфейс между титанатом стронция и алюминатом лантана, двумя диэлектриками, демонстрирующими при совмещении возникновение электропроводимости.

Существующий теоретический аппарат дает для этого интерфейса проводимость в десять раз выше наблюдаемой, то есть, на практике, 90% носителей заряда (электронов) загадочным образом отсутствуют.

В поисках пропавших электронов ученые использовали технику спектроскопической эллипсометрии, заливая границу раздела излучением в широком диапазоне энергий от синхротронных источников Singapore Synchrotron Light Source в NUS и Deutsches Elektronen-Synchrotron. Поглощение излучения на определенных длинах волн выявляло энергетическое состояние соответствующих электронов и их местоположение в кристаллической решетке.

Измерения показали, что лишь около 10% ожидавшихся электронов смогли свободно мигрировать на интерфейс для формирования там зоны проводимости. Остальные 90% оказались связаны в молекулярной решетке на более высоких энергетических уровнях, которые оставались невидимыми для световых источников, применявшихся в прежних экспериментах. «Это стало неожиданностью, — пишет Рашиди. — Но это же объясняет, почему полноценная реализация свойств интерфейса достигается только для структур из неспольких слоев».

В дальнейшем участники исследования намерены расширить его, распространив на интерфейсы между другими материалами. Они также работают над созданием новой установки при Singapore Synchrotron Light Source, специально нацеленной на изучение квантовых свойств интерфейсов сложных систем.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 

Ukraine

 

  •  Home  •  Ринок  •  IТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Мережі  •  Безпека  •  Наука  •  IoT