`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Прозрачная ReRAM на оксиде алюминия с гибкой подложкой

0 
 

Современная кремниевая флэш-память, состоящая из полевых МОП-транзисторов с дополнительным плавающим затвором в каждой ячейке, для увеличения емкости нуждается в миниатюризации. Однако, как ожидается, масштабирование флэш-памяти достигнет своих пределов в скором будущем. Среди новых разработок резистивная память с произвольным доступом (ReRAM), в частности, привлекает к себе в последнее время большое внимание из-за ее быстрого переключения, простоты конструкции и энергонезависимости. Другой областью активных исследований являются гибкие и прозрачные электронные устройства.

Ученые из корейских университетов DIANA и ONDEV исследуют будущие новые технологии прозрачной и гибкой памяти, которая в то же время имеет хорошие вольт-амперные характеристики. Исследователи изготовили гибкую прозрачную ReRAM (FT-ReRAM), которая имеет в среднем коэффициент пропускания 80% в видимой области спектра (400-800 нм). Сильный изгиб устройства не влияет на производительность памяти благодаря электродам из окисла индия цинка (IZO) и тонкому слою диэлектрика.

Это исследование также предлагает новшество в изготовлении FT-ReRAM и объяснение механизма ReRAM на основе данных рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии, омической проводимости и эффекта Пула-Френкеля. В механизме ReRAM кислородные вакансии являются важной частью резистивного изменения, поскольку они действуют как ловушки для инжектированных электронов в процессе установки. Когда к ReRAM прикладывается отрицательное значение напряжения, ионы кислорода мигрируют с поверхности раздела и заполняют кислородные вакансии – так называемый процесс сброса.

Это исследование по новым технологиям памяти вселяет надежду, что появление будущих электронных устройств на ее базе не так далеко. Наконец, с помощью этих подходов можно будет также решить существующую проблему масштабирования флэш-памяти на основе кремния.

Прозрачная ReRAM на оксиде алюминия с гибкой подложкой

Схематика FT-ReRAM во время процессов установки (а) и сброса (б)

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT