`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Получен ключевой компонент будущих топологических транзисторов

0 
 
Пролучен ключевой компонент будущих топологических транзисторов

В статье для Scienсе Advances, сотрудники исследовательского центра FLEET (Австралия) показали, что выращенный ими висмутид натрия (Na3Bi) имеет столь же идеальную (с точки зрения распространения электронов) поверхность, как и высококачественный графен на подложке из гексагонального борида натрия (h-BN).

Na3Bi это топологический полуметалл Дирака (TDS), который считается объемным эквивалентом двумерного графена. В обоих этих материалах электроны движутся с постоянной скоростью, независимо от их энергии. Теоретически, эта скорость может быть в 100 раз больше, чем для электронов в кремнии.

Графен в естественном виде, как моноатомный слой, применять неудобно, но размещение его на подложке может ограничивать мобильность носителей заряда. Микроскопические неоднородности поверхности основы (в этом качестве обычно используется h-BN) искажают электронную структуру графена и действуют как ловушки для зарядов. Процесс получения идеально совмещённых слоев графена и h-BN очень трудоёмкий, поэтому максимальный размер изготавливаемых образцов не превышает нескольких микрометров.

Технология синтеза Na3Bi более проста и выращивание компонентов миллиметрового и даже более крупного масштаба не представляет принципиальных проблем.

Это достижение австралийских учёных открывает возможность использования Na3Bi в новом поколении транзисторов.

«Графен это фантастический проводник, но его нельзя «выключать» или контролировать, — поясняет директор FLEET, профессор Михаэль Фюрер (Michael Fuhrer). — Топологические материалы, такие как Na3Bi, можно переводить из топологического в обычный изолятор, прикладывая напряжение или магнитное поле».

Переключение топологических транзисторов происходит практически с нулевым расходом энергии, и это их свойство способно преобразить компьютерную экономику. Сегодня на вычисления приходится приблизительно 5% объёма глобального потребления электричества и эта доля удваивается каждые 10 лет.

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT