| 0 |
|
Используя теоретический аппарат, ранее применявшийся для описания роста кристаллов, физики из Университета Райса смогли смоделировать процесс формирования графена из отдельных атомов углерода.
В своем исследовании они взяли за основу наиболее устоявшийся метод изготовления этого материала, называемый химическим осаждением из газовой фазы. Он заключается в нагреве источника углерода в присутствии металлического катализатора. Лист графена начинает формироваться когда первые несколько атомов углерода прикрепляются к катализатору, образуя ядро, к которому примыкают последующие атомы.
До сих пор предсказать форму образующейся графеновой плоскости не представлялось возможным. Двумерный лист мог принимать вид многоугольника, звезды или цветка, так как разные направления имели различающиеся физические свойства и разную скорость роста, также определяемую вариациями температур, плотности углеродного газа и прочими кинетическими факторами.
В своей работе, представленной в Трудах Национальной Академии Наук США, ученые представили законченную модель того, как атомы мигрируют из углеродного облака в печи на катализатор и в графеновую решетку. Их выкладки показывают, что в равновесном состоянии в зависимости от вида катализатора одни формы графена более вероятны, чем другие.
Точное знание получаемой формы имеет большое значение для практических приложений, поскольку, как показано в исследовании, именно форма, а точнее тип границ раздела определяет общие электронные, магнитные и прочностные характеристики графенового листа.
«Теория роста кристаллов это обширная и установившаяся область науки, – отмечает участник проекта Василий Артюхов. – Многие ее положения могут быть применены к синтезу графена теперь, когда нами сделаны первые шаги в этом направлении».
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
