Как известно, кремний, из которого делают оптические волноводы, пассивно проводит свет с некоторыми потерями. Поэтому необходимо усиливать сигнал или хотя бы встроить источник света в чип. Другие типы полупроводников, подобные арсениду галлия, такими особенностями могут обладать. Но материалы с примесью эрбия также хорошо усиливают свет.
Вплоть до настоящего времени не существовало чипов, которые бы объединяли кремний и материал с примесью эрбия. Аспирантка Laura Agazzi из University of Twente (Нидерланды) впервые продемонстрировала работающий чип. Он был способен усиливать световые сигналы со скоростью вплоть до 170 Гб/с. Для инфракрасного света с длиной волны 1533 нм коэффициент усиления составил 7,2 дБ.
Хотя это всего лишь первый прототип, однако результаты разработки очень многообещающие. Одним из них может быть лазер с очень узкой шириной линии – 1,7 кГц.
Более детально о данной разработке читайте в блоге Леонида Бараша.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +11 голос |
|
