| 0 |
|
Группа ученых университета Джорджии (США) под руководством известного голландского физика Уолтера де Хеера (Walter de Heer) предложила новый метод выращивания графена. Технология «шаблонного роста» (templated growth) для производства нанополос эпитаксиального графена позволяет создавать структуры шириной 15-40 нм, проводящие ток практически без сопротивления.
Первые сообщения о новой методике появились еще в октябре прошлого года, в журнале Nature Nanotechnology, где описывалась технология производства эпитаксиального графена с гладкими гранями. Ранее для разделения графеновых листов применялись электронные лучи, что давало негладкие грани, на которых рассеивались электроны, вызывая эффект интерференции. Полученные ленты обладали диэлектрическими свойствами.
Технология «шаблонного роста» состоит в следующем. На подложку из карбида кремния методом травления наносится шаблон, затем подложка прогревается до 1500°C, чтобы сгладить его контуры. Полученный шаблон направляет рост структур эпитаксиального графена, причем ширина нанолент пропорциональна глубине контура, что дает возможность формировать структуры заданной ширины и формы без применения техники нарезания графена с помощью электронных лучей.
Ученые надеются, что в перспективе им удастся вырастить ленты графена шириной 10 нм и менее. Такие структуры могут послужить основой для создания новых типов устройств, использующих квантовые свойства электронов.
Результаты работы были представлены 21 марта 2011 г. на заседании Американского физического общества (American Physical Society). Исследования проводились при финансовой поддержке Materials Research Science and Engineering Center (MRSEC).
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
