| 0 |
|
Исследовательские коллективы из HZB (Helmholtz Zentrum Berlin) и Университета Лимерика (Ирландия) открыли новую реакцию, позволяющую выращивать зерна полупроводника за считанные секунды и при относительно низких температурах. Для этого они использовали фазовый переход в зерна кестерита метастабильного вурцита, имеющего вид массива упорядоченных нановолокон.
Кестерит является перспективной альтернативой халькопиритным полупроводникам, использование которых в солнечных батареях уже позволило достичь эффективности преобразования энергии более 20%. Имея аналогичные с халькопиритами физические свойства кестериты, в отличие от них, состоят только из элементов, широко распространенных в земной коре.
Наблюдавшаяся в реальном времени методом рентгеновской дифракции трансформация занимала от 9 до 18 секунд. Получаемая в результате быстрого нагрева пленка кестерита с характерным размером зерна, приближающимся к микрометру, может использоваться в качестве поглотителя света в тонкопленочных солнечных элементах.
Эта работа, представленная в журнале Nature Communications, открывает возможность производства тонких микрокристаллических пленок полупроводников без применения затратных вакуумных технологий.
Авторы экспериментально и на основании созданной модели показали, что при быстром нагревании переход происходит на более высокой температуре, обеспечивая образование более крупных зерен с меньшим числом дефектов.
Новая процедура также представляет интерес для изготовления микро- и наноструктурированных фотоэлектрических устройств и полупроводниковых слоев, состоящих из других материалов.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
