`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Получены новые данные о краевых эффектах при перемагничивании

+11
голос

По мнению исследователей из США и Великобритании, перемагничивание в определенных типах наноструктур сильно зависит от краев материала. Они показали, что дефект, вызванный процессом изготовления наноструктур, может изменить магнитные свойства краев, что в итоге воздействует на всю наноструктуру. Это результат является важным в области технологий записи и спинтроники, в которых перемагничивание должно быть управляемым и предсказуемым.

По мере того как технологии магнитной записи и спинтроники переходят на перпендикулярно намагниченные наноструктуры, краевые эффекты будут становиться все более заметными и в некоторых случаях полностью определять магнитные свойства финальных структур.

Джастин Шоу (Justin Show) с коллегами из Национального института стандартов и технологии (NIST) в Боулдере (штат Колорадо) получили свои результаты путем сравнения магнитных наноструктур из одного магнитного материала (многослойной структуры из кобальта/палладия), но изготовленных посредством двух разных процессов. Один включал вытравливание наноструктур из непрерывного слоя, тогда как другой – осаждение материала на заранее структурированный субстрат. Первый процесс вводил дефекты на краях, тогда как второй вызывал минимальные нарушения.

Сравнивая зависимость перемагничивания от размеров и температуры, исследователи обнаружили, что краевые дефекты изменяют механизм перемагничивания и свойства образца. Эти свойства краев будет трудно не учитывать по мере того как исследования сосредоточиваются на материалах с перпендикулярной намагниченностью, потому что современная литография позволяет получать все меньшие и меньшие наноструктуры.

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT