`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Полевые транзисторы из германана перспективны для оптоэлектроники

0 
 

Недавняя работа с экспериментальными устройствами, возможно, способствовала тому, что германан (germanane) от перспективного в теории становится многообещающим на практике. Исследования по двумерному гидрированному аналогу графена, синтезированному в первый раз всего несколько лет назад, оставались ограниченными. Однако высококачественный перенос заряда и наличие запрещенной зоны продолжали привлекать интерес. В настоящее время исследователи из Гронингенского университета в Нидерландах и Университета Янины в Греции сообщили о первом полевом транзисторе, изготовленном из этого материала, подчеркнув его перспективные электронные и оптоэлектронные свойства.

Мадхушанкар Беттадахалли Нандишаях (Madhushankar Bettadahalli Nandishaiah) и его команда изолировали германан, используя подход, аналогичный использованному для его первого сообщенного синтеза, посредством топохимической деинтеркаляции CaGe2. Результаты ряда измерений характеристик подтвердили, что образец действительно был германаном – гексагональной решеткой германия с водородом, ковалентно связанным с каждым атомом германия. Затем они отщепляли полученные чешуйки толщиной от 15 нм до 90 нм, помещали их на поверхность подложки Si/SiO2 толщиной 300 нм и использовали стандартную электронно-лучевую литографию на основе полиметилметакрилата для изготовления контактов Ti/Au с устройством.

Дальнейшие электронные исследования, сочетающие множественные терминальные настройки, чтобы отличать свойства устройства от контактов, подтвердили амбиполярные свойства транспорта с повышенной проводимостью при освещении на длине волны запрещенной зоны.

Полевые транзисторы из германана перспективны для оптоэлектроники

                             Германановый полевой транзистор

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT