+11 голос |
В первом приближении полевой транзистор представляет собой быстродействующий коммутатор, образованный двумя металлическими электродами и полупроводниковым каналом между ними. Метод, позволяющий изготовить все компоненты подобного устройства из одного и того же 2D-материала был разработан в Центре синтетических малоразмерных электронных систем южнокорейского Института фундаментальных наук (Institute for Basic Science, IBS).
Для того, чтобы осуществить эту задачу учёные IBS применили технику химического осаждения из газовой фазы: при температуре в вакуумной печи 710°C осаждались металлические, а при 670°C – полупроводящие кристаллы дителлурида молибдена (MoTe2).
Использование одного материала с контролируемым полиморфизмом позволило избавиться от главной проблемы полевых 2D-транзисторов – большого контактного сопротивления на интерфейсе между 2D-полупроводником и металлом электрода. Реально измеренное контактное сопротивление полученного образца оказалось очень мало. Высоту барьера удалось снизить в семь раз, со 150 до 22 мэВ.
Участники проекта также продемонстрировали создание крупномасштабных структур чередованием полосок диселенида и дителлурида вольфрама. Они сначала наносили тонкий слой полупроводника WSe2, затем прорезали в нём и очищали дорожки, где и выращивали металлический WTe2.
В будущем они собираются добиться ещё большего снижения контрактного сопротивления, возможно, вплоть до теоретического квантового предела.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
+11 голос |