Прогнозирование движения зарядов в графене — ключ к эффективным компьютерам

В Йоркском университете найден метод, позволяющий реалистично прогнозировать поведение электрических токов, проходящих через двумерные материалы.

До сих пор считалось, что в слоях атомарной толщины электроны всегда локализуются, то есть внезапно останавливаются после рассеяния на дефектах кристаллической решётки, но работа доктора Айреса Феррейры (Aires Ferreira) показала, что в определённом типе графена такая локализация может быть преодолена.

В статье, опубликованной в Physical Review Letters в соавторстве с процессором Эдуардо Муцциоло (Eduardo Mucciolo) из Университета Центральной Флориды, Феррейра сообщил, что его метод впервые в мире способен давать оценку воздействия миллиардов атомов, открывая перспективы для создания сложных материалов, оптимально приспособленных для работы в более быстрых, эффективных и «зелёных» устройствах.

«Если мы сможем предсказывать как распространяются токи, мы сможем строить улучшенные схемы и более быстродействующие процессоры; это способно революционизировать компьютерные технологии», — добавил он.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI