| 0 |
|
Современные микроэлектронные схемы, используемые везде, от телефонов до суперкомпьютеров, содержат миллиарды нанометровых транзисторов. Каждый из них генерирует ничтожное количество тепла, но суммируясь по всей схеме их тепловыделение может поставить под угрозу функционирование устройства.
Подробная визуализация тепловой карты микросхемы, таким образом, могла бы предоставить важные сведения для конструкторов и проектировщиков микроэлектроники, позволить им снизить вероятность возникновения неполадок в следующих поколениях процессоров.
Электроны, проходя через образец, порождают коллективное колебание плотности заряда — плазмон. Отслеживание энергии, требующейся для возбуждения плазмонов, позволяет измерять локальные вариации плотности образца, напрямую связанные с локальной температурой внутри интегральной схемы или транзистора.
На этом принципе базируется новая методика PEET (Plasmon Energy Expansion Thermometry), разработанная сотрудниками и пользователями исследовательского центра нанотехнологий Molecular Foundry при Национальной лаборатории им. Лоуренса Беркли. Она обеспечивает измерение локальной температуры с точностью 3-5 кельвин и пространственным разрешением 5 нанометров — в 100 раз лучше, чем традиционная оптическая пирометрия.
Как сообщается в журнале Science, PEET единственная на сегодняшний день техника, позволяющая соотносить тепловые характеристики устройства с его структурой на уровне отдельных атомов.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
