`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Плазмоника – гибкий мост между двумя мирами

+22
голоса

Новый материал показывает свойства, позволяющие улучшить интеграцию оптических и электронных компонентов в практических устройствах.

Многие устройства, используемые в повседневной жизни, будь то телевизоры, мобильные телефоны или сканеры штрих-кодов, основываются на манипуляциях электрическим током и светом. Однако на микро- и наношкале возникает проблема интеграции электронных и оптических компонентов. На малых масштабах длины световых волн становятся слишком большими по отношению к размерам устройства и плохо обрабатываются из-за дифракционных эффектов.

Однако работы Хон Фон Он (Khuong Phuong Ong) с сотрудниками из A*STAR Institute of High Performance Computing в Сингапуре и США позволяют надеяться, что вскоре такая интеграция станет возможной. С помощью компьютерной симуляции они определили, что компаунд BiFeO3 может быть использован для эффективной связи света и электрического заряда с помощью индуцированных светом электронных колебаний, известных как плазмоны. Исследователи полагают, что эта связь может активироваться, управляться и выключаться по запросу посредством приложения электрического поля к плазмонным устройствам, базированным на этом материале.

«Теоретически, возможность управлять свойствами BiFeO3 с помощью электрического поля делает его многообещающим материалом для высокопроизводительных плазмонных устройств», - пояснил проф. Он. Ученые ожидали увидеть столь подходящие свойства после обсчета поведения материала. Но когда они изучили поведение предлагаемых устройств, базированных на BiFeO3, то обнаружили, что они могли бы превосходить по производительности устройства на BaTiO3, который сегодня является одним из лучших материалов для таких применений.

Подобно BaTiO3, BiFeO3 может производиться относительно легко и недорого. Именно благодаря этому новый материал является перспективным кандидатом для использования в устройствах. Сейчас материал интенсивно изучается. «Мы будем разрабатывать наноструктуры на BiFeO3, оптимизированные для применений в оптических устройствах для передачи данных, датчиках и преобразователях солнечной энергии», - сказал проф. Он.

По словам ученых, важным шагом на пути к практическим продуктивным устройствам будет оценка совместимости BiFeO3 -базированных структур со стандартными технологиями, которые используют полупроводники типа КМОП. В будущем планируется привлечь к изучению данного материала ученых из других институтов.

+22
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT