| +33 голоса |
|
Молибденит – новый и многообещающий материал – может преодолеть физические ограничения кремния. Ученые из EPFL доказали это, сделав первый молибденитовый микрочип с меньшими и более энергоэффективными транзисторами.
В Лаборатории наномасштабной электроники и структур (LANES) изготовили интегральную микросхему, подтверждающую, что молибденит может преодолеть физические ограничения кремния в миниатюризации, энергопотреблению и механической гибкости.
«Мы построили прототип, включающий от двух до шести последовательных транзисторов, и показали возможность основных логических операций, доказав тем самым, что мы можем создать больший чип», - сказал директор Лаборатории Андрас Кис (Andras Kis).
В начале 2011 г. лаборатория приоткрыла завесу над потенциалом дисульфида молибдена (MoS2), относительно распространенного в природе материала. Его структура и свойства полупроводника делают его идеальным материалом для использования в транзисторах.
«Основное преимущество MoS2 в том, что он позволяет уменьшить размеры транзисторов и продлить процесс миниатюризации», - отметил д-р Кис. Сегодня невозможно изготовить слой кремния меньше 2 нм толщиной, так как существует риск возникновения химической реакции, которая будет окислять поверхность и нарушать его электрическое свойства. Работоспособный слой молибденита может быть толщиной всего три атома, что дает возможность построить чип в три раза меньший. Кроме этого, транзисторы из MoS2 также более эффективны – они могут переключаться быстрее, чем кремниевые. Возможности молибденита усиливать электрический сигнал сравнимы с кремнием – выходной сигнал может в четыре раза превышать входной.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +33 голоса |
|
