Переход на выпуск чипов по нормам 3 нм будет отложен?

Как сообщает издание Digitimes, компании, ведущие разработки технологического процесса для производства полупроводников по нормам 3 нм, столкнулись с проблемами.

Речь идет о проблемах, связанных с переходом от использования полевых транзисторов с вертикальными затворами (FinFET)  на транзисторы с кольцевыми затворами (FinFET GAA).

Детали в отношении проблем, которые возникли у компаний Samsung и TSMC, разрабатывающих сейчас производственные технологии с нормами 3 нм, не сообщаются. Но как отмечаются возникшая ситуация может повлиять на график запуска новых процессов для выпуска полупроводников.

Стоит отметить, что согласно прогнозам чипы, выпущенные по нормам 3 нм, должны получить прирот производительности на 15% по сравнению с 5 нм. Кроме того, ожидается улучшение энергоэффективности на 30%.

Ранее предполагалось, что в коммерческом режиме выпуск чипов по нормам 3 нм уже будет запущен во второй половине следующего года. Однако, судя по всему, это произойдет уже в 2023 г., если тайваньская и корейская компании не найдут варианты решения проблемы. Многие наблюдатели отмечают, что, скорее всего, до перехода на 3 нм, Samsung и TSMC будут дорабатывать и улучшать технологии 5 нм, чтобы получить дополнительное время.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI