`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Память на углеродных нанотрубках становится быстрее

+44
голоса

Исследователям из Финляндии удалось первыми сделать память на базе полевых транзисторов из нанотрубок, которая работает со скоростью 100 нс – в 10^5 раз быстрее, чем самые лучшие устройства, изготовленные ранее. Такая память может конкурировать с коммерчески доступной флэш-памятью на основе кремния.

"Наши результаты достаточно удивительны, потому что методы для изготовления полевых транзисторов на базе нанотрубок не столь отработаны, оптимизированы, как для коммерческой флэш-памяти", - сказал руководитель группы Паиви Торма (Paivi Torma).

Еще одно интересное открытие заключается в том, что память на нанотрубках оказалась достаточно долговечной - она допускает более 10 4 циклов, значение, которое часто указывается для флэш-памяти.

Торма с коллегами сделал элемент памяти на полевом транзисторе на базе одностеночной нанотрубки, вырастив сначала один слой HfO 2 с помощью осаждения атомных слоев на поверхность пластины высоколегированного кремния, который также выступает в качестве подложки для затвора. Далее исследователи распределили нанотрубки на HfO 2 из суспензии и точно разместили их в заранее приготовленную маркером матрицу с помощью атомно-силового микроскопа. Подходящие нанотрубки затем соединили с электродами из палладия, используя электронно-лучевую литографию. Наконец, еще один слой HfO 2 был осажден на верхней части устройства в качестве слоя пассивации для уменьшения поверхностного эффекта.

Эти устройства могут использоваться для изготовления жестких дисков на флэш-памяти, но лучше всего подходят для портативных устройств, таких как мобильные телефоны, ноутбуки, КПК и USB-накопители, поскольку эти приложения требуют очень низких напряжений и малых токов утечки.

Нынешняя структура не очень подходит для массового производства, поскольку использует общий затвор, но эту проблему можно преодолеть с помощью локальных затворов. Это позволит также сделать изготовления устройств совместимым с производством обычной кремниевой электроники.

+44
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

«Душераздирающее зрелище» © Ослик Иа

Финляндия
Территория 64-я в мире 338 145 км²
Население 111-е в мире 5,3 млн. чел.
ВВП 52-й в мире $185 853 млрд

Украина
Территория 43-я в мире 603 700 км² — больше в 1,8 раза
Население 26-е в мире 46,2 млн. чел. — -//- в 8,7 раза
ВВП $302 млрд — меньше в 615(!) раз

Ну когда же узнаем, что «Исследователям из Украины удалось первыми сделать ...»
Извините! Просто крик души.

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT