`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Память на наноленте

+55
голосов

Новые ячейки памяти, изготовленные из графеновой наноленты, были продемонстрированы исследователями из Германии, Швейцарии и Италии. Устройство мало, однако имеет очень большую плотность ячеек, намного большую, чем возможно достичь на базе кремниевых чипов.

Наиболее важным свойством чипов памяти является объем – емкость количество данных, которое можно в них разместить. Последние 20 лет плотность ячеек памяти на чипе растет экспоненциально, подчиняясь закону Мура. В свою очередь, плотность прямо зависит от размера ячейки. В этом отношении графен является многообещающим материалом благодаря своим исключительным электронным и механическим свойствам – он позволяет изготавливать устройства размером менее 10 нм.

Роман Сордан (Roman Sordan) из Миланского политехнического института и коллеги из Штутгарта и Лозанны изготовили 10-нанометровые ячейки памяти на базе графеновых нанолент – формы графена, имеющей наименьшие размеры площади. «В самом деле, площадь нашей новой ячейки памяти настолько мала, что обеспечивает очень высокую плотность, - комментирует разработку Сордан. – Таким образом, мы ожидаем, что чипы памяти из графеновой наноленты продлят справедливость закона Мура в обозримом будущем».

Команда изготовила графеновые наноленты путем осаждения нановолокон V2O5 на поверхность графена и последующего травления с помощью пучка ионов аргона. Ионный пучок удалял весь графен, не защищенный нановолокнами. Этот простой метод позволил сформировать графеновые наноленты под слоем нановолокон, которые затем были удалены.

Память на наноленте

Преимущество использования нановолокон в качестве маски при травлении заключается в том, что с помощью этой техники можно сформировать очень узкие наноленты шириной менее 20 нм.

Другим преимуществом использования волокон V2O5 является возможность их легкого удаления после формирования нанолент – они могут быть смыты простой водой.

Ученые также обнаружили, что импульсы напряжения противоположных знаков на затворе могут переключать устройство между двумя состояниями. После переключения устройство остается в новом состоянии даже после сброса напряжения, то есть обладает «памятью». «Этот эффект памяти, вероятно, обязан зарядам, окружающим наноленты, которые захватываются молекулами воды, абсорбированными подложкой SiO2, на которой изготавливались устройства», - объясняет Сордан.

Устройство имеет время перехода, которое на три порядка величины меньше, чем у объявленных ранее устройств памяти на базе графена или углеродных нанотрубок, что позволит использовать высокую тактовую частоту.

+55
голосов

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT