`

СПЕЦІАЛЬНІ
ПАРТНЕРИ
ПРОЕКТУ

Чи використовує ваша компанія ChatGPT в роботі?

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Открытие мультиферроика поможет создать новые устройства памяти

+22
голоса

Редкое сочетание электрических и магнитных свойств в готовом для производства материале может улучшить устройства электронной памяти.

Электрическое поле может перемещать облако электронов, окружающее каждый атом в твердом теле. В эффекте, известном как поляризация, центр облака слегка смещается относительно положительно заряженных ядер, что радикально изменяет оптические свойства твердого тела. Материалы, которые могут сохранять состояние поляризации даже при отсутствии внешнего электрического поля, известны как сегнетоэлектрики, и они могут дать новое направление в создании высокоплотных устройств памяти.

«Функции сегнетоэлектриков намного расширяются, если они имеют также и магнитные свойства, и если имеется сильная связь между поляризацией и намагничиванием», - пояснил Ясухиро Тагучи (Yasujiro Taguchi) из Института передовых исследований RIKEN в Wako. Тагучи с коллегами из RIKEN и из нескольких других исследовательских институтов недавно экспериментально продемонстрировали, что комплекс стронций-барий-манганит ((Sr,Ba)MnO3) обладает этим редким сочетанием свойств.

«Мы открыли мультиферроик, который обладает и сильной связью и сильной поляризацией, эти свойства необходимы для использования в устройствах таких, как память с низким потреблением энергии», заявил Тагучи.

Более детально об этом открытии читайте в блоге Леонида Бараша.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI

+22
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 

Ukraine

 

  •  Home  •  Ринок  •  IТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Мережі  •  Безпека  •  Наука  •  IoT