Открыт первый 2D-материал с дырочной проводимостью

Инженерами Университета Юты открыт новый тип 2D-полупроводника, состоящий из моноксида олова (SnO). Заряды в нем перемещаются значительно быстрее, чем в традиционных объёмных материалах, таких как кремний, это позволит использовать новый полупроводник для создания компьютеров в 100 раз быстрее и экономичнее сегодняшних.

Активные исследования в области 2D-материалов в последние несколько лет привели к открытию графена, дисульфида молибдена, борофена, однако все они поддерживают проводимость только электронного или n-типа. Моноксид олова, синтезированный командой во главе с адъюнкт-профессором Ашутошем Тивари (Ashutosh Tiwari), стал первым известным науке 2D-полупроводником p-типа (с дырочной проводимостью).

Онлайновая публикация, рассказывающая об этом исследовании, появилась 15 февраля в журнале Advanced Electronic Materials.

«Теперь мы имеем всё — 2D-полупроводники p-типа и n-типа. Теперь все будет развиваться гораздо быстрее», — говорит Тивари. По его ожиданиям, первые прототипы устройств на 2D-транзисторах, таких как сверхэкономичные электронные импланты, будут готовы уже через 2-3 года.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365