`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Открыт новый механизм гигантского магниторезистивного эффекта

+44
голоса

Группа ученых из Национального института материаловедения (NIMS, Япония), возглавляемая д-ром Хиройя Сакураи (Hiroya Sakurai), с участием проф. Хикомицу Кикучи (Hikomitsu Kikuchi) из Университета Фукуи открыла новый материал, NaCr2O4, который демонстрирует новый тип гигантского магниторезистивного эффекта (ГМЭ). Новый материал получен с помощью синтеза при сверхвысоком давлении.

Материалы, в которых электрическое сопротивление изменяется на порядок величины при приложении магнитного поля, называются ГМЭ-материалами. Наиболее известными среди них являются окислы марганца. Их механизм ГМЭ зависит от специальной ферромагнитно-металлической фазы ионов марганца. Однако сейчас ищут новые материалы и механизмы ГМЭ.

В этом исследовании новый материал, NaCr2O4 был разработан с помощью сверхвысокого давления с учетом следующих двух факторов:
(1) структуры феррита кальция имеют как одномерную кристаллическую структуру, так и структуру, которая демонстрирует магнитную фрустрацию, и
(2) окислы с четырехвалентными ионами Cr находятся в специальном электронном состоянии.

Было обнаружено, что ГМЭ встречается в NaCr2O4, хотя тот и не является ферромагнитным металлом, а, скорее, антиферромагнитным полупроводником. Хотя ГМЭ проявляется в широком диапазоне температур, другими словами, во всем температурном диапазоне ниже температуры магнитного перехода, этот эффект обеспечивается новым механизмом, который обладает особенностью не проявлять эффект предыстории относительно температуры или магнитного поля.

Результат имеет большое значение для поиска новых ГМЭ-материалов, поскольку он показывает необходимость включить в сферу поиска антиферромагнитные полупроводники, которые ранее не рассматривались.

+44
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT