| 0 |
|
Исследователям из хьюстонского Университета Райса и Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (UCLA) удалось более чем на 30% сократить расход энергии при записи данных на карты, использующие память с изменением фаз (phase-change memory, PCM) — перспективный конкурент флэш-технологий.
PCM базируется на материалах, давно и успешно применяемых в перезаписываемых лазерных дисках. Значительного прогресса в адаптации этой технологии для энергонезависимой памяти общего назначения за последние месяцы добились лидеры индустрии, IBM и Samsung. В конечном итоге, PCM, как ожидают, должна по всем параметрам — быстроте, себестоимости и экономии энергии — превзойти флэш-память.
На IEEE/ACM Design Automation Conference (DAC) в Сан-Франциско (штат Калифорния) коллектив лаборатории адаптивных вычислений и встраиваемых систем Университета Райса представил новую схему кодирования данных, оптимальным образом учитывающую асимметрию физических процессов в PCM.
Запись информации в PCM происходит путем изменения сопротивления теплочувствительного материала. Под действием тепла он преобразуется из проводящего кристаллического состояния в стеклоподобное вещество с высоким сопротивлением. Для создания одного состояния необходим короткий импульс большой интенсивности, тогда как обратный процесс занимает больше времени и требует меньше энергии.
Используя комбинацию программных методов, исследователи создали кодировщик, который сканирует «слова» — короткие битовые последовательности на карте памяти — и перезаписывает только те их части, которые требуют изменения.
В ходе тщательных тестов было выявлено также, что помимо экономии энергии предложенная схема кодирования более чем на 40% снижает износ памяти (каждая ячейка может быть перезаписана ограниченное количество раз).
Особо отмечается, что, помимо PCM, метод применим и к другим перспективным типам памяти с побитовым доступом, включая STT-RAM (spin-transfer torque).
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
