| 0 |
|
Техника фотолитографии используется для создания рельефного рисунка микроэлектронных схем на поверхности полупроводниковых пластин. Это достигается с помощью химической реакции в светочувствительном веществе – фоторезисте.
Общей проблемой фотолитографии является дифракция света. Это явление накладывает ограничение, предел Рэлея, на разрешающую способность метода, и приводит к размыванию границ проводящих дорожек.
В статье, опубликованной в European Physical Journal D, Георгий Мирошниченко, физик из Национального исследовательского университета информационных технологий, механики и оптики (НИУ ИТМО) в Санкт-Петербурге (Россия), рассказал о разработке протокола квантовой литографии, призванного улучшить разрешение этой технологии.
До сих пор протоколы квантовой литографии основывались на многофотонном поглощении. Частота падающего света, инициирующего многофотонное поглощение, должна была быть в несколько раз ниже, частоты, требующейся для поглощения одиночного фотона. Соответственно, длина световой волны при таком подходе получается больше, а разрешение – хуже.
Мирошниченко вывел формулу для вероятности перехода одиночного фотона из связанного состояния в состояние с непрерывным спектром, используя, так называемое марковское приближение. Она позволяет выбирать время экспозиции и интенсивность луча, нужные для получения максимально узкой полосы в фоторезисте на подложке.
Таким образом, в негативном фоторезисте этот протокол обеспечивает создание полосы с шириной, равной половине длины волны, и с высококонтрастными границами. Для позитивного (разрушаемого светом) фоторезиста, ширина полосок на подложке получается существенно меньше длины волны, но расстояние между этими полосками равно половине длины волны.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
