NXP предложила решение проблемы поддержки базовыми станциями множества режимов

Компания NXP Semiconductors представила мощные СВЧ LDMOS транзисторы восьмого поколения (Gen8) для беспроводных базовых станций, позволяющие расширить полосу пропускания сигнала до 60 МГц и предоставляющие оптимизированную схему согласования ввода/вывода для создания широкополосных недорогих компактных мультистандартных усилителей мощности Догерти с высокой эффективностью.

В настоящее время компания NXP выпускает опытные образцы транзисторов Gen8 LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor – смещенно-диффузная МОП технология на основе кремния) для частот до 960 МГц с КПД более 55% для усилителей мощности в GSM-системах с использованием множества несущих. Вторая очередь опытных образцов для диапазонов GSM-WCDMA-LTE (1800, 1900 и 2100 МГц) появится до конца 2011 г.

Поставщики беспроводных инфраструктур испытывают нарастающее давление рынка, которому требуются экономически и энергетически эффективные базовые станции, причем незамедлительно. Это давление ощущается не только в развивающихся странах, но и на более зрелых рынках, к тому же, многочисленность стандартов сотовой связи, частотных полос и требования совместного использования сетей в сельских районах еще больше усложняют ситуацию. Технология Gen8 LDMOS компании NXP призвана решить все эти проблемы и обеспечить создание многополосных и широкополосных усилителей мощности, а также базовых приемопередающих станций (BTS), поддерживающих множество режимов.

По заявлению производителя, у транзисторов Gen8 по сравнению с предыдущим поколением плотность мощности выше на 15%, а выход мощности – примерно на 5% (в зависимости от приложения).

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI