Компания Samsung Electronics объявила о том, что новая производственная линия чипов памяти в Сиане (Китай) начала полноценную работу. Новый завод будет производить современные чипы флэш-памяти NAND: 3D V-NAND.
Завод был построен за 20 месяцев – первый камень был заложен представителями Samsung в сентябре 2012 года. Общая площадь помещений составляет 230 тыс м². Весь комплекс расположен на участке площадью 1,14 млн м².
Запустив фабрику в Сиане, Samsung обеспечил себе прочную производственную базу по производству чипов памяти в Китае, где на сегодняшний день выпускается примерно половина флэш-памяти NAND, производимой в мире, в том числе и другими ИТ-компаниями. Это также заложило основу для поставок чипов памяти партнерам и клиентам во всем мире.
До конца года Samsung планирует полностью завершить строительство комплекса в Сиане, в который войдут сборочная и тестовая линии.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
