Новый полупроводник втрое ускорит отвод тепла в электронной технике

Статья, недавно опубликованная журналом Science, рассказывает о бездефектном арсениде бора, впервые в мире синтезированном в Калифорнийском университете (UCLA). Этот уникальный материал способен осуществить переворот в технологиях температурного контроля. Он позволяет обеспечить более эффективный отвод тепла от «горячих точек» микрочипов (процессоров, светодиодов и пр.), чем любой другой из известных полупроводников или металлов.

Новый полупроводник стал кульминацией семилетней программы исследований группы UCLA под руководством адъюнкт-профессора Юнцзэ Ху (Yongjie Hu), включавшей проектирование и изготовление материалов, прогностическое моделирование их свойств и прецизионные измерения температуры.

По теплопроводности бездефектный арсенид бора более, чем втрое превышает медь или карбид кремния, используемые сегодня для изготовления теплоотводов. Такой выигрыш, в сочетании с удобством интеграции нового полупроводника в современные технологические процессы, позволит, с одной стороны, снизить затраты энергии на охлаждение разнообразной электроники — от микрочипов до датацентров, а с другой, уменьшить габариты микросхем (либо их производительность при прежних размерах).