Новый магнитный наноэффект сделает возможной дальнейшую миниатюризацию цифровой памяти

Явление аниферромагнитного связывания, возникающее между слоями материала с различными магнитными свойствами, позволяет управлять магнитными процессами, происходящими во всем устройстве. Оно имеет важное практическое значение, и используется, например, в системах считывания данных жестких дисков и в памяти MRAM для компьютеров и мобильных устройств.

Сотрудничество исследователей из Universitat Autònoma de Barcelona, Institut Catala de Nanociencia i Nanotecnologia и Universitat de Barcelona позволило воспроизвести этот эффект в частицах, размерами от 10 до 20 нм, что создает предпосылки для еще большей миниатюризации устройств обработки и хранения данных.

В эксперименте применялись наночастицы из оксида железа, покрытые тонким слоем Mn₃O₄, и наоборот — с ядром из оксида марганца и покрытием из Fe₃O₄. Это открытие обеспечивает возможность беспрецедентного контроля и настройки магнитных свойств наночастиц без изменения их формы или состава, посредством температуры и внешнего магнитного поля.

Помимо уменьшения размеров до ранее невозможного уровня это делает возможными более сложные приложения, такие как спиновые фильтры, магнитные кодировщики и многоуровневую запись, объясняют авторы исследования в статье, опубликованной в Nature Communications.

Данный международный проект был реализован также при участии сотрудников Complutense University of Madrid, итальянского Università degli Studi di Firenze, Стокгольмского университета, Института ядерной физики в Санкт-Петербурге (Россия), греческого NCSR, Университета Майами (штат Огайо), Окриджской и Аргонской национальных лабораторий США.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI