`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Новый дизайн базового элемента компьютерных чипов

+33
голоса

Почти все компьютерные чипы используют два типа транзисторов: р-тип с положительными носителями тока и n-тип – с отрицательными. Улучшение производительности чипа в целом требует параллельных улучшений обоих типов.

Исследователи из МТИ представили транзистор р-типа с наивысшей подвижностью носителей, когда-либо измеренной. Устройство в два раза быстрее, чем предыдущие экспериментальные транзисторы р-типа и почти в четыре раза быстрее, чем лучшие промышленные варианты.

Подобно другим экспериментальным высокопроизводительным транзисторам новое устройство основано не на кремнии, а, в данном случае, на германии. Сплавы германия уже находят применение в промышленных чипах, так что германиевые транзисторы могли бы легче интегрироваться с существующими технологическими процессами, чем сделанные из более экзотических материалов.

Новый транзистор обладает особенностью, которая называется тризатворной (trigate) конструкцией. Она могла бы решить некоторые проблемы, присущие компьютерным схемам крайне малых размеров. Во всех этих смыслах новое устройство предлагает заманчивую перспективу индустрии микросхем.

Проф. Джуди Хойт (Judy Hoyt) и ее группа добились рекордной подвижности дырок с помощью «напряженного» германия, принудив его атомы располагаться ближе друг к другу, чем в обычном кристалле. Чтобы сделать это, они вырастили германий на поверхности нескольких разных слоев кремния и кремниево-германиевого композита. Атомы германия, естественно, пытаются располагаться в линию с атомами нижележащих слоев, которые сжимают их межатомные расстояния.

Другим важным элементом нового транзистора является тризатворный дизайн. В традиционных транзисторах затвор располагается сверху канала, по которому течет ток. По мере уменьшения размеров транзисторов, должны также уменьшаться и размеры затворов. Однако при уменьшении размеров затворы становятся слишком ненадежными.

При тризатворном дизайне каналы располагаются над поверхностью чипа. Чтобы увеличить их площадь поверхности, затвор оборачивается вокруг трех открытых сторон – отсюда и происходит термин "тризатвор".

Новый дизайн базового элемента компьютерных чипов

На микрографии экспериментального транзистора синим цветом указаны области напряжения, где атомы германия располагаются ближе обычного

+33
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT