`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Новая техника может открыть эру полупроводниковых устройств на атомной шкале

+33
голоса

Исследователи из Университета Северной Каролины (NCSU) разработали новую технику для создания высококачественных тонких полупроводниковых пленок на атомной шкале – толщиной всего один атомный слой. Техника может быть использована для создания таких тонких пленок на большей шкале масштабов, достаточной для покрытия подложек шириной 5 см или больше.

«Это может быть использовано для уменьшения размеров существующих полупроводниковых приборов – лазеров, светодиодов, компьютерных чипов и т. п. – до атомной шкалы, - сказал д-р Линь Ю Цао (Linyou Cao). – Об этой концепции говорят уже давно, но реализовать ее не представлялось возможным. С помощью данного открытия это может быть сделано».

Исследователи работали с сульфидом молибдена (MoS2), недорогим полупроводниковым материалом с электронными и оптическими свойствами подобными материалам, уже используемыми в полупроводниковой индустрии. Однако MoS2 отличается от других полупроводниковых материалов тем, что может выращиваться слоями толщиной всего в один атом без потери полезных свойств.

В новой технике исследователи поместили порошок серы и хлорида молибдена в печь и постепенно поднимали температуру до 850°С, при которой порошок испарялся. Две субстанции вступали в реакцию при высокой температуре, образуя MoS2. Затем пары осаждались в тонкую пленку на подложку.

«Ключом нашего успеха является разработка нового механизма роста», - сказал д-р Цао. Исследователи могли точно управлять толщиной слоя MoS2 с помощью контроля над парциальным давлением и давлением насыщенных паров в печи.

Чтобы создать одноатомный слой MoS2 на подложке, парциальное давление должно быть выше, чем давление насыщенных паров. Чем выше парциальное давление, тем больше слоев MoS2 будет оседать на подложке. Если парциальное давление выше, чем давление насыщенных паров одного слоя атомов на подложке, но ниже, чем давление насыщенных паров двух слоев, баланс между парциальным давлением и давлением насыщенных паров может привести к тому, что рост пленок автоматически остановится после формирования одного слоя.

Парциальное давление управлялось посредством регулирования количества хлорида молибдена в печи – чем больше молибдена, тем выше парциальное давление. «Используя эту технику, мы можем создать однослойную тонкую пленку в масштабе подложки, - сказал д-р Цао. – Мы также можем создавать слои толщиной два, три или четыре атома».

Новая техника может открыть эру полупроводниковых устройств на атомной шкале

Сульфид молибдена

+33
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT