`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Новая разработка Intel обещает прорыв в сфере IT и коммуникаций

0 
 
Исследователи Intel сообщили о создании первого в мире лазера непрерывного действия на основе кремния, для изготовления которого ими была использована стандартная полупроводниковая технология.

Новая разработка Intel обещает прорыв в сфере IT и коммуникаций
Принцип действия непрерывного кремниевого лазера
Новая разработка Intel обещает прорыв в сфере IT и коммуникаций
Для усиления светового излучения в устройстве, разработанном специалистами фирмы, применяется так называемый эффект Рамана. Он относится к области нелинейной оптики и состоит в следующем. При поглощении фотонов атомами или молекулами, из которых образован кристалл, вторичное излучение включает в себя фотоны с большей длиной волны, а также фононы -- квантовые колебания кристаллической решетки. Как отмечают специалисты, применительно к оптическим усилителям, используемым, к примеру, в коммуникационных системах, это означает, что при накачке на одной длине волны можно усиливать сигнал практически на любой другой длине -- данный факт особенно важен при решении проблемы повышения спектральной плотности линий связи. Другое достоинство подобного подхода -- невысокий в сравнении с традиционными лазерами уровень тепловых потерь (их снижение, как известно, является одной из ключевых задач в современной микроэлектронике).

Рамановские лазеры и оптические усилители уже применяются в индустрии оптических коммуникаций, однако там для достижения необходимого усиления требуются километры оптоволокна. В кремнии же данный эффект проявляется примерно в 10 000 раз сильнее.

Однако до настоящего времени рамановское усиление в кремниевых структурах удалось получить лишь для очень коротких импульсов -- не более нескольких наносекунд. Проблема заключается еще в одном эффекте нелинейной оптики (его иногда называют паразитическим) -- двухфотонном поглощении. Он состоит в одновременном попадании двух фотонов в атом, при котором происходит выбивание электрона и, как следствие, -- образование долгоживущей пары электрон--дырка. При увеличении концентрации электронов и дырок за счет поглощения ими фотонов из луча накачки и сигнального луча эффект рамановского усиления быстро сходит на нет.

Для решения проблемы специалисты Intel разместили вдоль волновода так называемую PIN-структуру (P-type--Intrinsic--N-type). Упрощенно говоря, она представляет собой два электрода, при подаче напряжения на которые электроны и дырки "отсасываются" из волновода, обеспечивая длительное усиление.

Для изготовления непрерывного кремниевого лазера в лабораториях компании применили метод наращивания волновода поверх слоя изолятора; сам волновод имеет изогнутую форму (в виде буквы "S"), а его длина равняется 4,8 см. Напряжение, подававшееся на PIN-структуру, составляло 25 В. Накачка осуществлялась внешними инфракрасными лазерами мощностью порядка 400 мВт с различными длинами волн -- от 1548 до 1558 нм с интервалом 2 нм; длина волны на выходе находилась (приблизительно) в диапазоне от 1683 до 1696 нм. Величина рамановского усиления равнялась нескольким децибелам на сантиметр (в сравнении с 200 дБ/см в стандартных полупроводниковых лазерах), однако этого оказалось достаточно.

В Intel считают, что, хотя новая разработка еще далека от коммерческого внедрения, изготовление лазеров из обычного кремния открывает путь к созданию недорогих оптических устройств, способных найти широкое применение в компьютерной, коммуникационной и медицинской сферах.
0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT