`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Новая графеновая «наносетка» может изменить будущее электроники

+11
голос

Графен обещает большие возможности в таких областях, как радиотехника, компьютеры, телефоны и другие электронные устройства. Но его практическое применение затруднено тем, что этот полуметалл, который имеет нулевую запрещенную зону, не эффективен как полупроводник для усиления или переключения электронных сигналов.

Хотя нарезанные из графеновых листов нанометровые ленты дают бóльшую запрещенную зону и улучшенные функции, устройства на нанолентах часто обладают малым управляющим током, и на практике такие устройства требуют создания плотных массивов упорядоченных нанолент, процедуры, которая до сих пор не достигнута и ясно не осознана.

Однако Ю Хуан (Yu Huang), профессор материаловедения Калифорнийского университета в Лос-Анжелесе, и ее команда исследователей при сотрудничестве с профессором химии Сянфен Дуан (Xiangfeng Duan) могут найти новое решение этой проблемы.

Они объявили о создании новой графеновой наноструктуры, которую назвали графеновой наносеткой (graphene nanomesh, GNM). Новая структура способна образовывать запрещенную зону в большом листе графена и создать высокооднородную непрерывную полупроводниковую тонкую пленку, которая может обрабатываться стандартными планарными методами.

«Наносетка создается посредством перфорации высокоплотного массива наноотверстий в одном или нескольких слоях графена с использованием в качестве маски самоорганизующихся блоков сополимерной тонкой пленки», - пояснила проф. Хуан.

Наносетка может иметь разную периодичность ячеек, которая определяется расстоянием между центрами двух смежных отверстий. Перешейки, кратчайшие расстояния между краями двух смежных отверстий, могут быть менее 5 нм.

Возможность регулировать периодичность сетки и ширину перешейков является очень важной для управления электронными свойствами, поскольку транспорт зарядов сильно зависит от ширины и количества путей для тока.

Используя такую наносетку в качестве полупроводникового канала, Хуан и ее команда продемонстрировали работающие при комнатной температуре транзисторы с током почти в 100 раз большим, чем графеновые устройства на лентах, но с сопоставимым отношением токов включения-выключения. Исследователи также показали, что это отношения может регулироваться посредством изменения ширины перешейков.

По мнению проф. Хуан, концепция GNM открывает путь к практическому применению графена как полупроводникового материала для будущей электроники. Уникальная структура и электронные характеристики позволят использовать GNM для создания чувствительных биодатчиков и спинтронных приборов, от магнитных головок до устройств хранения.

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT