`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Нобелевские лауреаты по физике 2014 года

+33
голоса

Нобелевская премия по физике 2014 г. была присуждена Исаму Акасаки (Isamu Akasaki), Хироши Амано (Hiroshi Amano) и Сюдзи Накамура (Shuji Nakamura) за разработку синих светодиодов. Сумма вознаграждения составит 690 000 фунтов стерлингов и будет разделена между лауреатами, которые получат свои медали на церемонии в Стокгольме 10 декабря.

Акасаки является гражданином Японии и работает в университетах Мейджо и Нагоя. Амано – также гражданин Японии и работает в Университете Нагоя. Накамура – гражданин США, работает в Калифорнийском университете в Санта-Барбаре.

Приз вручен трио за «изобретение эффективных синих светодиодов, которые позволяют создать яркие и энергосберегающие источники белого света». В настоящее время повсеместно используются светодиоды в широком спектре приложений – от телевизоров до стерилизаторов, и они не содержат токсичную ртуть, которая присутствует в люминесцентных лампах.

Для получения белого света необходимы светодиоды, которые излучают красный, зеленый и синий свет. Первый красный светодиод был создан в 1950-х, и исследователям затем удалось создать устройства, которые излучат свет на более коротких волнах, достигнув зеленого к 1960 г. Однако ученые столкнулись с трудностями при попытке создать синий свет.

В 1980-х годах Акасаки и Амано, работающие в Университете Нагоя, и Накамура из Nichia Corporation сосредоточились на полупроводниковом соединении нитрида галлия (GaN), которое могло идеально подходить для создания синих светодиодов, потому что обладало запрещенной зоной с энергией, соответствующей ультрафиолетовому свету.

Однако при создании пригодных к использованию светодиодов на основе GaN возникло много проблем. Одна из основных – как получить высококачественные кристаллы GaN с хорошими оптическими свойствами. Эта проблема была решена независимо в конце 1980-х и начале 1990-х Акасаки и Амано, а также Накамура. Обе команды использовали методы эпитаксии из металлоорганической паровой фазы (MOVPE) для нанесения тонких пленок высококачественных кристаллов GaN на подложки.

Другой, казалось бы, непреодолимой задачей, с которой столкнулись исследователи, было, как легировать GaN так, чтобы получить полупроводник р-типа, что имеет решающее значение для создания светодиодов. Акасаки и Амано заметили, что когда GaN, легированный цинком, помещают в электронный микроскоп, он испускает гораздо больше света. Это позволило предположить, что электронное облучение улучшает р-легирование, эффект, который позже объяснил Накамура.

Следующий шаг для обеих команд заключался в том, чтобы использовать свой высококачественный р-легированный GaN наряду с другими GaN-базированными полупроводниками в многослойных структурах с гетеропереходами. В 1993 г. Накамура смог создать первый синий светодиод с высокой яркостью.

Высоко оценив лауреатов, председатель Нобелевского комитета по физике Пер Делсинг (Per Delsing) сказал: «Много крупных компаний пытались [разработать синие светодиоды] и потерпели неудачу, но эти парни упорно работали и, в конце концов, им это удалось».

Сегодня светодиоды на основе GaN используются для подсветки жидкокристаллических дисплеев в устройствах, начиная от мобильных телефонов до экранов телевизоров. Светодиоды, излучающие синий и ультрафиолетовый (УФ) свет также используются в DVD, в котором более короткая длина волны света позволяет достичь более высокой плотности записи.

Изобретение или открытие?
За последние 10 лет было присуждены три другие Нобелевские премии по физике за работы со значительным коммерческим потенциалом: гигантский магниторезистивный эффект в 2007 г.; волоконная оптика и приборы с зарядовой связью в 2009 г. и графен в 2010 г. Хотя большинство призов связаны с более эзотерическими открытиями, такими как бозон Хиггса, Альфред Нобель распорядился в завещании, что премия также может быть присуждена за важное изобретение в области физики.

«Альфред Нобель был бы очень рад этой премии, - сказал Делсинг. - [Синий светодиод] это действительно то, что пойдет на пользу большинству людей».

Нобелевские лауреаты по физике 2014 года

(Слева направо):

Исаму Акасаки родился в 1929 г. в Chiran, Япония, окончил Киотский университет в 1952 г. и получил докторскую степень в 1964 г. в Университете Нагоя.

Хироши Амано родился в 1960 г. в Хамамацу, Япония, получил докторскую степень в 1989 г. в Университете Нагоя.

Сюдзи Накамура родился в Иката, Японии, в 1954 г., окончил Университет Токусима в 1977 г. со степенью в области электронной техники и получил степень магистра в той же области два года спустя. Затем он присоединился к Nichia Corporation, небольшой компании, расположенной в Токусима на острове Сикоку. Накамура получил докторскую степень в 1994 г. в Университете Токусима.

+33
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT