| 0 |
|
Компании NEC и NEC Electronics создали технологию разработки оптимальной структуры каналов в КМОП-транзисторах для техпроцесса с уровнем детализации 32 нм и далее. Она основана на визуализации распределения примесей в транзисторах с использованием электроннолучевой голографии с наилучшим в мире пространственным разрешением.
В производстве используются технологии p-n перехода с низким сопротивлением, ионное легирование, подавляющее канальный эффект, и отжиг (в течение миллисекунд) для активации примесей без их перераспределения путем тепловой диффузии. Указанные технологии позволяют изготовлять сверхминиатюрные КМОП-транзисторы с сохранением высоких рабочих показателей и малым током утечки. Компаниями были представлены созданные с использованием новых технологий образцы КМОП.
Кроме того, NEC и NEC Electronics разработали новую Low-k структуру медных соединений. Предложенные ими кремниево-углеродные пленки (SCC) блокируют диффузию атомов меди. Их использование позволит снизить диэлектрическую постоянную на 35%, и на 11% уменьшить активное энергопотребление соединений интегральных схем. Новая структура Low-k Cu соединений может использоваться не только для производства 32-нм КМОП, но и для всех типов последовательных КМОП.
Исследования проводились при поддержке Организации по развитию новых энергоресурсов и промышленных технологий (New Energy and Industrial Technology Development Organization, NEDO) в рамках проекта MIRAI. Результаты исследований были представлены 12 декабря 2007 г. на проходящей в Вашингтоне (США) конференции International Electron Device Meeting (IEDM).
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
