Использование магнетизма индивидуальных молекул вместо электронных или магнитных ячеек памяти могло бы революционизировать технологию устройств памяти, поскольку молекулярная память была бы в тысячи раз меньше. Ученые из Кильского университета существенно продвинулись вперед в разработке таких молекулярных устройств хранения. Они достигли успеха в избирательном переключении намагниченности индивидуальных молекул, так называемом спиновом переходе (spin crossover), с помощью электронов.
Текущее исследование фокусируется на магнетизме молекул. Используя СТМ, д-р Тируванкерил Гопакумар (Thiruvancheril Gopakumar) смог переключать индивидуальные молекулы между двумя магнитными состояниями, несмотря на их плотную упаковку в молекулярном слое. Молекулы (комплексы со спиновым переходом) были синтезированы в Институте неорганической химии Кильского университета.
Следующий шаг – адаптировать молекулы таким образом, чтобы переключение можно было бы осуществить с помощью света, а не электронов или повышения температуры.
Более детально об этом исследовании читайте в блоге Леонида Бараша.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +11 голос |
|
