`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Наноконденсаторы увеличивают плотность памяти

+11
голос

Ферроэлектрические материалы являются многообещающей альтернативой магнитным и диэлектрическим материалам при изготовлении энергонезависимой памяти. Однако проблема в том, что ферроэлектрики легко разрушаются при использовании обычного литографического процесса. Решение может быть достигнуто при другом подходе, называемом трафаретное формирование.

Ву Ли (Woo Lee) из Института Макса Планка в Хале, Германия, вместе с коллегами из Кореи, использовали разработанный ими трафаретный метод для создания высокоплотного массива ферроэлектрических наноконденсаторов, который позволяет записывать данные с плотностью 176 Гб на кв. дюйм – рекордной для материала этого типа. В отличие от литографии техника не разрушает чувствительные ферроэлектрические структуры.

Ферроэлектрическими материалы называются потому, что они содержат постоянные электрические диполи, аналогично магнитным диполям в железе. Подобно северному и южному полюсам в магнитах, положительный и отрицательный полюсы постоянного электрического диполя могут меняться местами, но значительно быстрее. Таким образом материал может хранить данные подобно жестким дискам, но допускает их обработку со скоростью ОЗУ.

Процесс изготовления начинается с анодирования поверхности алюминиевых листов высокой чистоты для получения мембран пористого окисла алюминия в виде «теневой маски», в которой естественным образом формируются почти регулярные массивы наноотверстий. Затем исследователи с помощью центрифугирования покрыли верхнюю поверхность окисла алюминия пленкой полистирена. Полученный шаблон был помещен на покрытый платиной субстрат из окиси магния. Далее полистирен удалялся, и тонкая пленка титаната цирконата свинца и платины с помощью лазера осаждалась через отверстия трафарета. Когда последний удалялся, оставался массив островков конденсаторов из структур металл-ферроэлектрик-металл, имеющих размеры около 40 нм. Так как расстояния между островками достигало значения менее 60 нм, то, следовательно, плотность конденсаторов составляла более чем 1011 штук на кв. дюйм.

Конденсаторы допускают индивидуальную адресацию, и массив может быть использован для создания чипов ферроэлектрической RAM для таких приложений, как МР3-плееры, камеры мобильных телефонов и ноутбуки.

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT