Это устройство изготавливается на мощностях Micron по технологии с уровнем детализации 78 нм. Оно поддерживает скорость передачи данных 800-1600 MT (MegaTransfers) в секунду с тактовой частотой 400-800 MHz (вдвое больше, чем DDR2). Напряжение питания у DDR3 снижено с 1,8 до 1,5 В, благодаря чему потребление энергии уменьшилось на 30%.
Массовое производство новой памяти планируется начать со следующего года. Гигабитные чипы DDR3, доступные в различных конфигурациях (x4, x8 и x16), будут полностью совместимы с новейшими спецификациями JEDEC DDR3 и поддерживать работу в модулях FBDIMM, UDIMM, SODIMM, RDIMM емкостью от 512 MB до 4 GB.
Двухгигабитовая память DDR3 от Micron, как ожидается, впервые появится в начале 2007 г.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
