`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Может ли возвратиться закон Мура?

0 
 

С приближающимся пределом миниатюризации двумерных (2D) полупроводниковых схем, независимые аналитики уже объявили - "закон Мура мертв". В статье, опубликованной в журнале Nanotechnology, исследователи дают надежду на возрождения закона Мура путем укладки транзисторов в третьем измерении.

Пластинчатый 3D-дизайн Intel для процессоров показывает, что некоторые из нежелательных эффектов наноразмерной миниатюризации в электронных устройствах могут быть устранены с помощью пространственного расширения в третьем измерении. Новое измерение открывается также путем укладки плоских полупроводниковых устройств и увеличения плотности транзисторов в единице объема.

Недавнее исследование группы Nagpal предполагает, что в случае принятия новых полупроводниковых 3D-архитектур можно получить новые преимущества. Ученые показали, что большие площади поверхностей в этих наноразмерных устройствах могут быть использованы для настройки электронных свойств этих полупроводников и получения новых физических свойств в результате поверхностных взаимодействий.

В то время как большинство полупроводниковых приборов базируются на двухуровневом электронном управлении (смещение канала и напряжения на затворе), команда добавила новое измерение с помощью инновационных 'воздушного стробирования' и 'химического стробирования' в полом полупроводниковом нанотрубочном устройстве на базе TiO2. Группа подчеркнула возможности для развития новых 4D-транзисторов (с помощью смещения канала, напряжение на затворе, химического состава и концентрации), используя эти наноструктуры.

Исследователи изготовили полые нанотрубочные устройства, которые продемонстрировали настраиваемый коэффициент выпрямления (отношение тока прямого смещения к току обратного смещения) от 1-1000 с помощью простого изменения давления воздуха. Химическое стробирование может обратимо изменять проводимость наноразмерных полупроводниковых нанотрубок (нанотрубки TiO2 10 нм –500 нм) на шесть порядков величины с настраиваемым коэффициентом выпрямления от 1 до 1 000 000.

Изменение коэффициента выпрямления происходит благодаря перестройке ширины зоны истощения в этих тонких оксидных нанотрубках вследствие адсорбции паров воды и переходам в режим переноса заряда. Эти химические эффекты стробирования являются полностью обратимыми, аддитивными при различных химических составах, и могут лечь в основу построения полупроводниковых приборов наноэлектроники на 'химических транзисторах' и очень эффективных высокочувствительных датчиков.

Может ли возвратиться закон Мура?

В полупроводниковых устройствах на полых нанотрубках наблюдалось воздушное стробирование и химическое стробирование

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT