`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Мониторинг электронов в режиме реального времени

+33
голоса

Вызванный броуновским движением электронов тепловой шум является одним из основных пока неизбежных типов шума во всех электронных устройствах. О тепловом шуме впервые сообщили Джонсон (Johnson) и Найквист (Nyquist) в 1928 г., и их модель теплового шума, основанная на флуктуационно-диссипативной теории, до сих пор используется в различных областях. Команда из научно-исследовательских лабораторий NTT в Японии изучает модель с одноэлектронным разрешением с помощью нанометровой динамической памяти с произвольным доступом (DRAM). Здесь транзистор нанометрового масштаба замедляет электроны, идущие в и из крошечного конденсатора, и электроны считаются в реальном времени с помощью датчика заряда.

Шумы в транзисторах широко исследуются, чтобы гарантировать точную работу электронных схем. Определены три типа шума: дробовой шум, шум мерцания и тепловой. Тепловой шум происходит от теплового движения электронов в устройстве. Он может снизить производительность цепи, и эта проблема становится более серьезной при уменьшении транзисторов в соответствие с законом Мура. По этой причине, ученые использовали DRAM для исследования теплового шума.

Мониторинг движения одного электрона в режиме реального времени доказывает надежность известной модели теплового шума. Исследование также показало, что индивидуальное движение электронов происходит в соответствии с процессом Пуассона. Это означает, что хотя статистическое распределение колебаний электронов описывается на основе теплового шума, движение отдельного электрона "под микроскопом" описывается процессом Пуассона, который является формой дробового шума.

О мониторинге движения одного электрона в режиме реального времени уже сообщалось в других работах. Однако эти демонстрации были проведены при низкой температуре и в специальных условиях, когда закон равномерного распределения энергии не работает. Это означает, что условия эксперимента были далеки от тех, в которых используются в настоящее время электронные устройства.

С другой стороны, в этот раз, все демонстрации были проведены в условиях, знакомых всем читателям, то есть транзистор работал при комнатной температуре. Это означает, что результаты могут быть полностью применимы для всех электронных устройств. Кроме того, в перспективе для DRAM это обещает новые логические схемы, использующие одиночные электроны, с низким энергопотреблением и высокой функциональностью.

Мониторинг электронов в режиме реального времени

Мониторинг одного электрона с использованием DRAM

+33
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT