`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Микролазер может изменить технологию микросхем

+44
голоса

Физики из Федерального института технологии (ETH, Цюрих, Швейцария) разработали новый вид лазера, который выходит за границы возможного: он вне всяких сомнений самый маленький лазер в мире с электрической накачкой и однажды может привести к пересмотру технологии изготовления микросхем.

При длине 30 мкм он излучает свет с длиной волны примерно в восемь раз больше – 200 мкм. Впервые длина волны излучения превысила размеры лазера. Обычно лазеры не могут быть меньше, чем излучаемая ими длина волны. Дело в том, что в обычном лазере излучение формируется в оптическом резонаторе. При этом волны испытывают многократные отражения между двумя зеркалами. Принцип работает только в том случае, когда зеркала больше, чем длина волны лазера. Попытки преодолеть этот барьер предпринимались и раньше, но сделать это удалось, лишь разработав полностью новую концепцию лазера.

При разработке лазерной концепции Кристоф Уолтер (Christoph Walther), аспирант группы квантовой оптоэлектроники, под руководством проф. Джерома Фэста (Jérôme Faist) почерпнул идеи из электроники. «Взамен обычного оптического резонатора мы использовали электрический резонансный контур, сделанный из индуктивности и двух конденсаторов, - объясняет Уолтер. – Свет «захватывается» контуром и вызывает электромагнитные колебания в участке цепи, где имеется оптический усилитель. Это значит, что размер резонатора больше не определяется длиной волны света и может в принципе быть сделан желаемой величины».

Микролазер может изменить технологию микросхем

Это делает микролазер особенно интересным для производителей чипов, так как в один прекрасный день позволит использовать их для построения оптоэлектронных чипов со сверхвысокой плотностью электронных и оптических компонентов.

+44
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

он Фэст, а не Файст :)

ну и до производителей чипов не дойдет, как я понимаю это квантово-каскадный лазер на GaAs или InGaAs. технология этих полупроводников не совместима с кремниевой.

Жером ЕМНИП швейцаец из франкоязычного кантона, буквосочетание ai читается как е/э

Спасибо, сейчас исправлю.

>когда зеркала больше, чем длина волны лазера.

это вообще говоря не так.

А как?
ИМХО, если размер препятствия меньше длины волны, то волна его огибает.

нет, если она ограничена.
резонаторы полупроводниковых лазеров - это вовсе не 2 зеркала между которыми вакуум.
резонатор таких лазеров - это полупроводниковый волновод, причем ограничение мод часто усилено металлическим или сильно легированым слоем.

современные квантово-каскадные лазеры имеют резонатор 10-20 микрон x 1-2mm, при этом излучают длины волн порядка 100 микрон.

Какое физическое явление лежит в основе "захвата" света?

для этого надо читать оригинальную статью. ее я пока не видел.
но я знаком с Фэстом, он серьезный ученый. все что выходит из его группы - это такие же серьезные вещи.
кстати это именн он когда постдочил в группе Капассо сделал первый квантово-каскадный лазер (ну не в одиночку конечно)

P.S. J. Faist et al, Science 264, 553 (1994)

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT