| 0 |
|
Американська Micron Technology оголосила про плани інвестувати близько 24 млрд дол. протягом наступних десяти років у будівництво надсучасного заводу з випуску кремнієвих пластин у Сінгапурі.
Новий об’єкт площею понад 65 000 кв. м буде інтегрований у вже існуючий комплекс компанії, де наразі виробляється 98% усієї флешпам’яті Micron. Початок випуску продукції заплановано на другу половину 2028 року.
Це рішення ухвалено на тлі гострого глобального дефіциту чипів пам’яті, спричиненого стрімким розвитком інфраструктури для штучного інтелекту. За словами представників компанії, нова фабрика допоможе задовольнити зростаючий попит на NAND-пам’ять, необхідну для центрів обробки даних та АІ-застосунків.
Згідно з даними TrendForce, частка Micron на ринку NAND складає 13% - четверте місце у світі за підсумками ІІІ кв. 2025 р., а у сегменті HBM - 21% та третє місце після SK Hynix та Samsung.
Очікується, що проєкт створить близько 1 600 нових високотехнологічних робочих місць, що разом із раніше анонсованим заводом з упакування HBM-пам’яті за 7 млрд дол. збільшить штат Micron у Сінгапурі на 3 000 осіб.
Цікаво, що Micron обирає Сінгапур як основний хаб для NAND, одночасно інвестуючи в HBM та розширюючи DRAM-потужності на Тайвані (нещодавня угода з Powerchip на 1,8 млрд дол.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
