| 0 |
|
Температурная нестабильность полимеров накладывает серьезные ограничения на разработку гибких электронных систем, препятствуя интеграции органических материалов в высокопроизводительные производственные процессы.
Исследовательский коллектив под руководством профессора кафедры материаловедения Корейского ведущего научно-технического института (KAIST), Кеона Чже Ли (Keon Jae Lee), выработал методологию ILLO (Inorganic-based Laser Lift-off), которая упрощает получение быстродействующих гибких схем.
Предложенный процесс включает в себя нанесение на жесткую подложку фотореактивного покрытия, а затем создание поверх него сверхтонких неорганических электронных устройств, например, высокоплотной решеточной структуры мемристорной памяти. Облучение лазером тыльной стороны подложки инициирует процесс отслоения в реактивном покрытии. В результате, электронная схема отделяется и может быть перенесена на гибкую основу из пластика, бумаги или даже ткани.
В экспериментах перенесенное таким образом на гибкие подложки устройство RRAM продемонстрировало полную функциональность оперативной памяти даже при значительной изгибной деформации.
Как указывает профессор Ли, при выборе оптимальной подложки и неорганического реактивного слоя создаваемое устройство сможет выдерживать температуры более 1000 °C, характерные для самых передовых технологий промышленного производства микроэлектроники.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
